2N7377
Gamintojo produkto numeris:

2N7377

Product Overview

Gamintojas:

Microchip Technology

Detalių numeris:

2N7377-DG

Aprašymas:

POWER BJT
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 300 V 5 A 58 W Through Hole TO-254AA

Inventorius:

12984052
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

2N7377 Techninės specifikacijos

Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
5 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
300 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
-
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
-
Galia - Maks.
58 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 200°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-254-3, TO-254AA
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-254AA

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
150-2N7377
Standartinis paketas
1

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
microchip-technology

2N3904UB

SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

JANSF2N3635UB

RH SMALL-SIGNAL BJT

microchip-technology

2N6285

POWER BJT