Gamintojo produkto numeris:
APT58M80J
Product Overview
Gamintojas:
Microchip Technology
Detalių numeris:
APT58M80J-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 60A SOT227
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 60A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227
Inventorius:
2 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13248223
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
APT58M80J Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Tube
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
60A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
110mOhm @ 43A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 5mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
570 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
17550 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
960W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-227
Pakuotė / dėklas
SOT-227-4, miniBLOC
Pagrindinio produkto numeris
APT58M80
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
APT58M80JMI-ND
APT58M80JMI
Standartinis paketas
10
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFN62N80Q3
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
8
DiGi DALIES NUMERIS
IXFN62N80Q3-DG
VISO KAINA
44.05
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXFN48N60P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
20
DiGi DALIES NUMERIS
IXFN48N60P-DG
VISO KAINA
18.51
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
APT50M65B2FLLG
MOSFET N-CH 500V 67A T-MAX
APT6040BNG
MOSFET N-CH 600V 18A TO247AD
APT12057B2LLG
MOSFET N-CH 1200V 22A T-MAX
