Gamintojo produkto numeris:
JANTXV2N3439P
Product Overview
Gamintojas:
Microchip Technology
Detalių numeris:
JANTXV2N3439P-DG
Aprašymas:
POWER BJT
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 350 V 1 A 800 mW Through Hole TO-39 (TO-205AD)
Inventorius:
12981975
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
JANTXV2N3439P Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
1 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
350 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 4mA, 50mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
2µA
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
40 @ 20mA, 10V
Galia - Maks.
800 mW
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 200°C
Klasės
Military
Kvalifikacijos
MIL-PRF-19500/368
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-39 (TO-205AD)
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
150-JANTXV2N3439P
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
REACH statusas
REACH Unaffected
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
JAN2N4449UB
SMALL-SIGNAL BJT
2C5672-MSCL
POWER BJT
BC817-16W,115
NOW NEXPERIA BC817-16W - SMALL S