LND150N3-G
Gamintojo produkto numeris:

LND150N3-G

Product Overview

Gamintojas:

Microchip Technology

Detalių numeris:

LND150N3-G-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 500V 30MA TO92-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 30mA (Tj) 740mW (Ta) Through Hole TO-92-3

Inventorius:

4988 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12815215
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

LND150N3-G Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Bag
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
30mA (Tj)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
0V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1000Ohm @ 500µA, 0V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
-
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
10 pF @ 25 V
AKT funkcija
Depletion Mode
Galios išsklaidymas (Max)
740mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-92-3
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pagrindinio produkto numeris
LND150

Duomenų lapas ir dokumentai

HTML duomenų lapas
LND150N3-G-DG
Duomenų lapai
LND150N3-G

Papildoma informacija

Standartinis paketas
1,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
infineon-technologies

IRFB3507

MOSFET N-CH 75V 97A TO220AB

infineon-technologies

IRFBL3315

MOSFET N-CH 150V 21A SUPER D2PAK

texas-instruments

CSD18504Q5AT

MOSFET N-CH 40V 50A 8VSON

texas-instruments

CSD18540Q5BT

MOSFET N-CH 60V 100A 8VSON