TN0106N3-G-P013
Gamintojo produkto numeris:

TN0106N3-G-P013

Product Overview

Gamintojas:

Microchip Technology

Detalių numeris:

TN0106N3-G-P013-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu
12810245
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

TN0106N3-G-P013 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Microchip Technology
Pakuotė
Tape & Box (TB)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
350mA (Tj)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 500µA
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
60 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-92-3
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pagrindinio produkto numeris
TN0106

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
TN0106

Papildoma informacija

Standartinis paketas
2,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
microchip-technology

VP0550N3-G

MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3

infineon-technologies

IRF6643TR1PBF

MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET

infineon-technologies

IRLR7821TRRPBF

MOSFET N-CH 30V 65A DPAK

infineon-technologies

IRFS3306PBF

MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK