TN0110N3-G

Gamintojo produkto numeris:

TN0110N3-G

Product Overview

Gamintojas:

Microchip Technology

Detalių numeris:

TN0110N3-G-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 100V 350MA TO92-3

Išsami aprašymas:

N-Channel 100 V 350mA (Tj) 1W (Tc) Through Hole TO-92-3

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

12810007

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

TN0110N3-G Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Microchip Technology

Pakuotė

Bag

Serijos

-

Produkto būsena

Active

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

100 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

350mA (Tj)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

4.5V, 10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

3Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2V @ 500µA

VGS (Max)

±20V

Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds

60 pF @ 25 V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

1W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-92-3

Pakuotė / dėklas

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

Pagrindinio produkto numeris

TN0110

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Standartinis paketas

1,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

ROHS3 Compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

infineon-technologies

IRF1324STRL-7PP

MOSFET N-CH 24V 240A D2PAK

microchip-technology

TP2635N3-G

MOSFET P-CH 350V 180MA TO92-3

nxp-semiconductors

IRFR220,118

MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK

nxp-semiconductors

BUK962R1-40E,118

MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK