2N6788
Gamintojo produkto numeris:

2N6788

Product Overview

Gamintojas:

Microsemi Corporation

Detalių numeris:

2N6788-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 100V 6A TO39
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 6A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39

Inventorius:

13257258
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

2N6788 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Microsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
300mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
18 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
800mW (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-39
Pakuotė / dėklas
TO-205AF Metal Can

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
2N6788-ND
150-2N6788
Standartinis paketas
1

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
microsemi

APT58M50JCU3

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

microsemi

APT94N65B2C3G

MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX

microsemi

APT6M100K

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220

microchip-technology

APT8065SVRG

MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK