2N6788

Gamintojo produkto numeris:

2N6788

Product Overview

Gamintojas:

Microsemi Corporation

Detalių numeris:

2N6788-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 100V 6A TO39

Išsami aprašymas:

N-Channel 100 V 6A (Tc) 800mW (Tc) Through Hole TO-39

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

13257258

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

2N6788 Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Microsemi

Pakuotė

-

Serijos

-

Produkto būsena

Obsolete

AKT tipas

N-Channel

Technologija

MOSFET (Metal Oxide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

100 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

6A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

10V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

300mOhm @ 3.5A, 10V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

4V @ 250µA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

18 nC @ 10 V

VGS (Max)

±20V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

800mW (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 150°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-39

Pakuotė / dėklas

TO-205AF Metal Can

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

2N6788-ND

150-2N6788

Standartinis paketas

1

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

RoHS būsena

RoHS non-compliant

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.21.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

microsemi

APT58M50JCU3

MOSFET N-CH 500V 58A SOT227

microsemi

APT94N65B2C3G

MOSFET N-CH 650V 94A T-MAX

microsemi

APT6M100K

MOSFET N-CH 1000V 6A TO220

microchip-technology

APT8065SVRG

MOSFET N-CH 800V 13A D3PAK