Gamintojo produkto numeris:
APT11N80KC3G
Product Overview
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Detalių numeris:
APT11N80KC3G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220
Išsami aprašymas:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 156W (Tc) Through Hole TO-220 [K]
Inventorius:
13261983
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
APT11N80KC3G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Microsemi
Pakuotė
-
Serijos
CoolMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
800 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.1A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.9V @ 680µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
60 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1585 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
156W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220 [K]
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
APT11N80KC3GMI-ND
APT11N80KC3GMI
APT11N80KC3G-ND
150-APT11N80KC3G
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
APT24M120L
MOSFET N-CH 1200V 24A TO264
APTM20SKM04G
MOSFET N-CH 200V 372A SP6
2N6798
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO39
