Gamintojo produkto numeris:
APT25SM120B
Product Overview
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Detalių numeris:
APT25SM120B-DG
Aprašymas:
SICFET N-CH 1200V 25A TO247
Išsami aprašymas:
N-Channel 1200 V 25A (Tc) 175W (Tc) Through Hole TO-247
Inventorius:
13261549
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
APT25SM120B Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Microsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
SiCFET (Silicon Carbide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
1200 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
25A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
20V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
175mOhm @ 10A, 20V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
72 nC @ 20 V
VGS (Max)
+25V, -10V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
175W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-247
Pakuotė / dėklas
TO-247-3
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
APT25SM120B-ND
150-APT25SM120B
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
APT30M19JVFR
MOSFET N-CH 300V 130A ISOTOP
APT11F80B
MOSFET N-CH 800V 12A TO247
APT20M11JFLL
MOSFET N-CH 200V 176A ISOTOP
