Gamintojo produkto numeris:

APT80SM120B

Product Overview

Gamintojas:

Microsemi Corporation

Detalių numeris:

APT80SM120B-DG

Aprašymas:

SICFET N-CH 1200V 80A TO247

Išsami aprašymas:

N-Channel 1200 V 80A (Tc) 555W (Tc) Through Hole TO-247

Inventorius:

Prašymas dėl kainos internetu

13261717

Prašyti pasiūlymo

Kiekis
Minimali 1

(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas

PATEIKTI

APT80SM120B Techninės specifikacijos

Kategorija

FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET

Gamintojas

Microsemi

Pakuotė

-

Serijos

-

Produkto būsena

Obsolete

AKT tipas

N-Channel

Technologija

SiCFET (Silicon Carbide)

Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)

1200 V

Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C

80A (Tc)

Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)

20V

Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs

55mOhm @ 40A, 20V

Vgs(th) (Maks.) @ Id

2.5V @ 1mA

Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs

235 nC @ 20 V

VGS (Max)

+25V, -10V

AKT funkcija

-

Galios išsklaidymas (Max)

555W (Tc)

Darbinė temperatūra

-55°C ~ 175°C (TJ)

Montavimo tipas

Through Hole

Tiekėjo įrenginių paketas

TO-247

Pakuotė / dėklas

TO-247-3

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai

APT80SM120(B,S)

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai

APT80SM120B-ND

150-APT80SM120B

Standartinis paketas

1

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)

1 (Unlimited)

REACH statusas

REACH Unaffected

EKSSN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

DIGI Sertifikavimas

certification_01

certification_02

certification_03

certification_04

certification_015

certification_08

esd

Susiję produktai

microchip-technology

APT22F80S

MOSFET N-CH 800V 23A D3PAK

microchip-technology

APT48M80B2

MOSFET N-CH 800V 49A T-MAX

APT47N65SCS3G

MOSFET N-CH 650V 47A TO-247

APTM100UM60FAG

MOSFET N-CH 1000V 129A SP6