Gamintojo produkto numeris:
APTC90DAM60CT1G
Product Overview
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Detalių numeris:
APTC90DAM60CT1G-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 900V 59A SP1
Išsami aprašymas:
N-Channel 900 V 59A (Tc) 462W (Tc) Chassis Mount SP1
Inventorius:
13246847
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
APTC90DAM60CT1G Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Microsemi
Pakuotė
-
Serijos
CoolMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
900 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
59A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
60mOhm @ 52A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3.5V @ 6mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
540 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
13600 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
462W (Tc)
Darbinė temperatūra
-40°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Chassis Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SP1
Pakuotė / dėklas
SP1
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
APTC90DAM60CT1G-ND
150-APTC90DAM60CT1G
Standartinis paketas
100
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
APT10078BLLG
MOSFET N-CH 1000V 14A TO247
APT12067JLL
MOSFET N-CH 1200V 17A SOT227
APT8030JVFR
MOSFET N-CH 800V 25A ISOTOP