Gamintojo produkto numeris:
JAN2N7334
Product Overview
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Detalių numeris:
JAN2N7334-DG
Aprašymas:
MOSFET 4N-CH 100V 1A MO-036AB
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 100V 1A 1.4W Through Hole MO-036AB
Inventorius:
12929658
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
JAN2N7334 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
Microsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
4 N-Channel
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
1A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
700mOhm @ 600mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
60nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
-
Galia - Maks.
1.4W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasės
Military
Kvalifikacijos
MIL-PRF-19500/597
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
14-DIP (0.300", 7.62mm)
Tiekėjo įrenginių paketas
MO-036AB
Pagrindinio produkto numeris
2N733
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
JAN2N7334-MIL
150-JAN2N7334
JAN2N7334-DG
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
SP8M3FU7TB1
MOSFET N/P-CH 30V 5A/4.5A 8SOP
NDS9957
MOSFET 2N-CH 60V 2.6A 8SOIC
CAB425M12XM3
SIC 2N-CH 1200V 450A
