Gamintojo produkto numeris:
JANTX2N6800
Product Overview
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Detalių numeris:
JANTX2N6800-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 400V 3A TO205AF
Išsami aprašymas:
N-Channel 400 V 3A (Tc) 800mW (Ta), 25W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Inventorius:
12927079
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
JANTX2N6800 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Microsemi
Pakuotė
-
Serijos
Military, MIL-PRF-19500/557
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
400 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
3A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
1.1Ohm @ 3A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
34.75 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
800mW (Ta), 25W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-205AF (TO-39)
Pakuotė / dėklas
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
JANTX2N6800-DG
150-JANTX2N6800
JANTX2N6800-MIL
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
TPH3R70APL1,LQ
150V U-MOS IX-H SOP-ADVANCE(N) 3
JANTX2N6804
MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA
NDD60N360U1T4G
MOSFET N-CH 600V 11A DPAK
