Gamintojo produkto numeris:
JANTXV2N6770
Product Overview
Gamintojas:
Microsemi Corporation
Detalių numeris:
JANTXV2N6770-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 12A TO204AE
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 12A (Tc) 4W (Ta), 150W (Tc) Through Hole TO-204AE (TO-3)
Inventorius:
12929080
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
JANTXV2N6770 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Microsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
12A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
500mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
120 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
4W (Ta), 150W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Klasės
Military
Kvalifikacijos
MIL-PRF-19500/543
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-204AE (TO-3)
Pakuotė / dėklas
TO-204AE
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
JANTXV2N6770-MIL
JANTXV2N6770-DG
150-JANTXV2N6770
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
R6030KNZ4C13
MOSFET N-CH 600V 30A TO247
NVMFS5C670NLWFT3G
MOSFET N-CH 60V 17A/71A 5DFN
NTMD4184PFR2G
MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC
