CSD18503KCS
Gamintojo produkto numeris:

CSD18503KCS

Product Overview

Gamintojas:

National Semiconductor

Detalių numeris:

CSD18503KCS-DG

Aprašymas:

CSD18503KCS 40V, N CHANNEL NEXFE
Išsami aprašymas:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole TO-220-3

Inventorius:

740 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12946668
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

CSD18503KCS Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
NexFET™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
40 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
100A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
36 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
3150 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
188W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220-3
Pakuotė / dėklas
TO-220-3

Duomenų lapas ir dokumentai

Duomenų lapai
CSD18503KCS Datasheet

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
2156-CSD18503KCS
TEXNSCCSD18503KCS
Standartinis paketas
362

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
Susiję produktai
fairchild-semiconductor

FDMS0355S

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR

fairchild-semiconductor

FQPF7N65CYDTU

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

fairchild-semiconductor

FDA16N50-F109

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

fairchild-semiconductor

FDA18N50

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1