Gamintojo produkto numeris:
AN1L3N
Product Overview
Gamintojas:
NEC Corporation
Detalių numeris:
AN1L3N-DG
Aprašymas:
TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A TO92
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 100 mA 250 mW Through Hole TO-92
Inventorius:
56894 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12931581
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
AN1L3N Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienviečiai, išankstiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP - Pre-Biased
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50 V
Rezistorius - pagrindas (R1)
4.7 kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
10 kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
80 @ 50mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
200mV @ 250µA, 5mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Galia - Maks.
250 mW
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-92
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
RENNECAN1L3N
2156-AN1L3N
Standartinis paketas
1,159
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
