Gamintojo produkto numeris:
BSP110,115
Product Overview
Gamintojas:
Nexperia USA Inc.
Detalių numeris:
BSP110,115-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 520MA SOT223
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 520mA (Tc) 6.25W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventorius:
12830179
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BSP110,115 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Nexperia
Pakuotė
-
Serijos
TrenchMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
520mA (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
10Ohm @ 150mA, 5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
40 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
6.25W (Tc)
Darbinė temperatūra
-65°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SOT-223
Pakuotė / dėklas
TO-261-4, TO-261AA
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
568-6812-2
568-6812-1
934000600115
BSP110 T/R
BSP110 T/R-DG
BSP110,115-DG
BSP110115
568-6812-6
Standartinis paketas
1,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FDT1600N10ALZ
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
6830
DiGi DALIES NUMERIS
FDT1600N10ALZ-DG
VISO KAINA
0.23
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PMN25ENEAX
MOSFET N-CH 30V 6.4A 6TSOP
PMN40ENEX
MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
BUK9E08-55B,127
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
