Gamintojo produkto numeris:
BUK9E06-55A,127
Product Overview
Gamintojas:
Nexperia USA Inc.
Detalių numeris:
BUK9E06-55A,127-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 55V 75A I2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 55 V 75A (Tc) 300W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventorius:
12833184
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BUK9E06-55A,127 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Nexperia
Pakuotė
-
Serijos
TrenchMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
55 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
75A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2V @ 1mA
VGS (Max)
±15V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
8600 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
300W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Klasės
Automotive
Kvalifikacijos
AEC-Q101
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
I2PAK
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
934056832127
568-9751-5
568-9751-5-DG
1727-7229
BUK9E0655A127
BUK9E06-55A,127-DG
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IRF3205ZLPBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
3938
DiGi DALIES NUMERIS
IRF3205ZLPBF-DG
VISO KAINA
0.67
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IPI80N06S407AKSA2
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
500
DiGi DALIES NUMERIS
IPI80N06S407AKSA2-DG
VISO KAINA
0.80
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
ATP101-V-TL-H
MOSFET P-CH 30V 25A ATPAK
5HN01C-TB-E
MOSFET N-CH 50V 100MA CP3
2N7002KT7G
MOSFET N-CH 60V 320MA SOT23-3
