Gamintojo produkto numeris:
GAN190-650EBEZ
Product Overview
Gamintojas:
Nexperia USA Inc.
Detalių numeris:
GAN190-650EBEZ-DG
Aprašymas:
650 V, 190 MOHM GALLIUM NITRIDE
Išsami aprašymas:
N-Channel 650 V 11.5A (Ta) 125W (Ta) Surface Mount, Wettable Flank DFN8080-8
Inventorius:
2317 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
13001067
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
GAN190-650EBEZ Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
Nexperia
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
GaNFET (Gallium Nitride)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
650 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
190mOhm @ 3.9A, 6V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 12.2mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
2.8 nC @ 6 V
VGS (Max)
+7V, -1.4V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
96 pF @ 400 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
125W (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount, Wettable Flank
Tiekėjo įrenginių paketas
DFN8080-8
Pakuotė / dėklas
8-VDFN Exposed Pad
Pagrindinio produkto numeris
GAN190
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
1727-GAN190-650EBEZTR
5202-GAN190-650EBEZTR
934665904332
1727-GAN190-650EBEZDKR
1727-GAN190-650EBEZCT
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
3 (168 Hours)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
AOTF42S60
MOSFET
GAN140-650FBEZ
650 V, 140 MOHM GALLIUM NITRIDE
GAN080-650EBEZ
650 V, 80 MOHM GALLIUM NITRIDE (
