Gamintojo produkto numeris:
2N3019
Product Overview
Gamintojas:
NTE Electronics, Inc
Detalių numeris:
2N3019-DG
Aprašymas:
TRANS NPN 80V 1A TO39
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 80 V 1 A 100MHz 800 mW Through Hole TO-39
Inventorius:
4 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12922281
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N3019 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
Pakuotė
Bag
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
1 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
80 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
10nA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
100 @ 150mA, 10V
Galia - Maks.
800 mW
Dažnis - perėjimas
100MHz
Darbinė temperatūra
175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-39
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2368-2N3019
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
