Gamintojo produkto numeris:
NTE2018
Product Overview
Gamintojas:
NTE Electronics, Inc
Detalių numeris:
NTE2018-DG
Aprašymas:
IC-8 CHAN CMOS/TTL DR 18-PIN DIP
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor Array 8 NPN Darlington 50V 600mA 1W Through Hole 18-PDIP
Inventorius:
22 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12950372
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
NTE2018 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Bipoliniai tranzistoriai rinkiniai
Gamintojas
Pakuotė
Bag
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
8 NPN Darlington
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
600mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
1.6V @ 350mA, 500A
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
-
Galia - Maks.
1W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
-20°C ~ 85°C (TA)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
18-DIP (0.300", 7.62mm)
Tiekėjo įrenginių paketas
18-PDIP
Pagrindinio produkto numeris
NTE20
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2368-NTE2018
Standartinis paketas
1
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH info available upon request
EKSSN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
JANTXV2N3810U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
ZXTDA1M832TA
TRANS NPN/PNP 15V/12V 8MLP
JANTX2N5796U/TR
TRANSISTOR DUAL SMALL-SIGNAL BJT
