Gamintojo produkto numeris:
BUK9E6R1-100E,127
Product Overview
Gamintojas:
NXP USA Inc.
Detalių numeris:
BUK9E6R1-100E,127-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 100V 120A I2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 349W (Tc) Through Hole I2PAK
Inventorius:
12810057
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
BUK9E6R1-100E,127 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
NXP Semiconductors
Pakuotė
-
Serijos
TrenchMOS™
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
120A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5.9mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.1V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
133 nC @ 5 V
VGS (Max)
±10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
17460 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
349W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
I2PAK
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
BUK9
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
NEXNXPBUK9E6R1-100E,127
2156-BUK9E6R1-100E127-NX
BUK9E6R1100E127
934066517127
568-9877-5
Standartinis paketas
50
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
BUK9635-55,118
MOSFET N-CH 55V 34A D2PAK
BUK952R8-60E,127
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
BUK7615-100A,118
MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK
