Gamintojo produkto numeris:
PBSS5612PA,115
Product Overview
Gamintojas:
NXP Semiconductors
Detalių numeris:
PBSS5612PA,115-DG
Aprašymas:
NEXPERIA PBSS5612PA - SMALL SIGN
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 12 V 6 A 60MHz 2.1 W Surface Mount 3-HUSON (2x2)
Inventorius:
99332 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12996680
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PBSS5612PA,115 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
NXP Semiconductors
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
6 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
12 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 300mA, 6A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
190 @ 2A, 2V
Galia - Maks.
2.1 W
Dažnis - perėjimas
60MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
3-PowerUDFN
Tiekėjo įrenginių paketas
3-HUSON (2x2)
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-PBSS5612PA,115-954
Standartinis paketas
2,777
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SA2022
2SA2022 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
BSR16/DG/B4215
NEXPERIA BSR16 - SMALL SIGNAL BI
2SC3661-TB-E
2SC3661 - NPN EPITAXIAL PLANAR S
