Gamintojo produkto numeris:
PDTB113ES,126
Product Overview
Gamintojas:
NXP USA Inc.
Detalių numeris:
PDTB113ES,126-DG
Aprašymas:
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50 V 500 mA 500 mW Through Hole TO-92-3
Inventorius:
13072214
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PDTB113ES,126 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienviečiai, išankstiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
NXP Semiconductors
Pakuotė
-
Gamintojas
NXP USA Inc.
Serijos
-
Pakavimas
Tape & Box (TB)
Dalies būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
PNP - Pre-Biased
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
500 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50 V
Rezistorius - pagrindas (R1)
1 kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
1 kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
33 @ 50mA, 5V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 2.5mA, 50mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
500nA
Galia - Maks.
500 mW
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-92-3
Pagrindinio produkto numeris
PDTB113
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
PDTB113ES AMO
PDTB113ES AMO-ND
934059144126
Standartinis paketas
2,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
DTB113ECT116
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
2396
DiGi DALIES NUMERIS
DTB113ECT116-DG
VISO KAINA
0.03
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DALIES NUMERIS
DTB113EKT146
GAMINTOJAS
Rohm Semiconductor
PRIEINAMAS KIEKIS
1686
DiGi DALIES NUMERIS
DTB113EKT146-DG
VISO KAINA
0.08
Pakeitimo tipas
MFR Recommended
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PDTC143XEF,115
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC89
PDTC144EE,115
TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
PDTA123YS,126
TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3