Gamintojo produkto numeris:
PH6030L,115
Product Overview
Gamintojas:
NXP USA Inc.
Detalių numeris:
PH6030L,115-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 76.7A LFPAK56
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 76.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
Inventorius:
12811996
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PH6030L,115 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
NXP Semiconductors
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
76.7A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
6mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.15V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
15.2 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2260 pF @ 12 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
62.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
LFPAK56, Power-SO8
Pakuotė / dėklas
SC-100, SOT-669
Pagrindinio produkto numeris
PH60
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
PH6030L T/R-DG
PH6030L T/R
934061643115
954-PH6030L115
Standartinis paketas
1,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PMT200EN,115
MOSFET N-CH 100V 1.8A SOT223
PSMN005-55P,127
MOSFET N-CH 55V 75A TO220AB
IPN70R2K0P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 3A SOT223
