Gamintojo produkto numeris:
PHE13003C,126
Product Overview
Gamintojas:
NXP USA Inc.
Detalių numeris:
PHE13003C,126-DG
Aprašymas:
NOW WEEN - PHE13003C - POWER BIP
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 400 V 1.5 A 2.1 W Through Hole TO-92-3
Inventorius:
5000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12947895
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PHE13003C,126 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
NXP Semiconductors
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
1.5 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
400 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
1.5V @ 500mA, 1.5A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100µA
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
5 @ 1A, 2V
Galia - Maks.
2.1 W
Dažnis - perėjimas
-
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-92-3
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
WENNXPPHE13003C,126
2156-PHE13003C,126
Standartinis paketas
3,963
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
PMBT4403YSX
TRANS PNP 40V 0.6A SOT23
PBSS5140U,135
NOW NEXPERIA PBSS5140U - SMALL S
PHPT60610PYX
PHPT60610PY - 60 V, 10A PNP HIGH
