Gamintojo produkto numeris:
PMCM6501VNEZ
Product Overview
Gamintojas:
NXP USA Inc.
Detalių numeris:
PMCM6501VNEZ-DG
Aprašymas:
PMCM6501VNE - 12V, N-CHANNEL TRE
Išsami aprašymas:
N-Channel 12 V 7.3A (Ta) 556mW (Ta), 12.5W (Tc) Surface Mount 6-WLCSP (1.48x0.98)
Inventorius:
2022638 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12947659
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
PMCM6501VNEZ Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
NXP Semiconductors
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
12 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
7.3A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
1.5V, 4.5V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
18mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
900mV @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
24 nC @ 4.5 V
VGS (Max)
±8V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
920 pF @ 6 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
556mW (Ta), 12.5W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
6-WLCSP (1.48x0.98)
Pakuotė / dėklas
6-XFBGA, WLCSP
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
NEXNEXPMCM6501VNEZ
2156-PMCM6501VNEZ
Standartinis paketas
1,528
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
HUF75545P3
N-CHANNEL ULTRAFET POWER MOSFET
STD9NM60N
MOSFET N-CH 600V 6.5A DPAK
A2N7002HW-HF
MOSFET N-CH 60V 300MA SOT323
