Gamintojo produkto numeris:
2N7000
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
2N7000-DG
Aprašymas:
MOSFET TO92 N 60V 0.2A 5OHM 150C
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 200mA (Ta) 400mW (Ta) Through Hole TO-92-3
Inventorius:
24412 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12836533
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2N7000 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
200mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
5Ohm @ 500mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 1mA
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
50 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
400mW (Ta)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-92-3
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pagrindinio produkto numeris
2N7000
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2N7000FS
2832-2N7000
2156-2N7000-OS
2N7000FS-NDR
FAIFSC2N7000
Standartinis paketas
10,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
3LN01SS-TL-H
MOSFET N-CH 30V 150MA SMCP
FQP9N90C
MOSFET N-CH 900V 8A TO220-3
FQA13N50CF_F109
MOSFET N-CH 500V 15A TO3PN
