Gamintojo produkto numeris:
2SA1319S-AA
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
2SA1319S-AA-DG
Aprašymas:
2SA1319 - PNP EPITAXIAL PLANAR S
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 160 V 700 mA 120MHz 700 mW Through Hole 3-NP
Inventorius:
6000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12996783
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SA1319S-AA Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
700 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
160 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 25mA, 250mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
140 @ 100mA, 5V
Galia - Maks.
700 mW
Dažnis - perėjimas
120MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Klasės
-
Kvalifikacijos
-
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tiekėjo įrenginių paketas
3-NP
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-2SA1319S-AA-488
Standartinis paketas
2,664
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Vendor Undefined
REACH statusas
REACH Unaffected
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
MMBT3906,215
NEXPERIA MMBT3906 - SMALL SIGNAL
BCX54,115
NEXPERIA BCX54 - SMALL SIGNAL BI
BC856BMYL
NEXPERIA BC856 - 60 V, 100 MA PN
