Gamintojo produkto numeris:
2SB1216S-H
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
2SB1216S-H-DG
Aprašymas:
TRANS PNP 100V 4A TP
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventorius:
12837920
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SB1216S-H Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
4 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
100 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
1µA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
140 @ 500mA, 5V
Galia - Maks.
1 W
Dažnis - perėjimas
130MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tiekėjo įrenginių paketas
TP
Pagrindinio produkto numeris
2SB1216
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SC4135T-E
TRANS NPN 100V 2A TP
KSH112ITU
TRANS NPN DARL 100V 2A IPAK
BDX33CTU
TRANS NPN DARL 100V 10A TO220-3
