Gamintojo produkto numeris:
2SB1216T-E
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
2SB1216T-E-DG
Aprašymas:
TRANS PNP 100V 4A TP
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 100 V 4 A 130MHz 1 W Through Hole TP
Inventorius:
12837039
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SB1216T-E Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
PNP
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
4 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
100 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 200mA, 2A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
1µA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
200 @ 500mA, 5V
Galia - Maks.
1 W
Dažnis - perėjimas
130MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Tiekėjo įrenginių paketas
TP
Pagrindinio produkto numeris
2SB1216
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
ONSONS2SB1216T-E
2156-2SB1216T-E-ON
Standartinis paketas
500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
2SB1216S-TL-E
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
1071
DiGi DALIES NUMERIS
2SB1216S-TL-E-DG
VISO KAINA
0.27
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
