Gamintojo produkto numeris:
2SC3070-AE
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
2SC3070-AE-DG
Aprašymas:
NPN SILICON TRANSISTOR
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 25 V 1.2 A 250MHz 1 W Through Hole 3-MP
Inventorius:
51000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12968484
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SC3070-AE Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
1.2 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
25 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 10mA, 500mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
-
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
300 @ 10mA, 5V
Galia - Maks.
1 W
Dažnis - perėjimas
250MHz
Darbinė temperatūra
-
Klasės
-
Kvalifikacijos
-
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tiekėjo įrenginių paketas
3-MP
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-2SC3070-AE
ONSSNY2SC3070-AE
Standartinis paketas
1,401
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SC2812-7-TB-E
NPN SILICON TRANSISTOR
BC857-QVL
TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB
BCX55-10E6327
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
