Gamintojo produkto numeris:
2SC3600D
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
2SC3600D-DG
Aprašymas:
NPN SILICON TRANSISTOR
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 200 V 100 mA 400MHz 1.2 W Through Hole TO-126
Inventorius:
2241 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12954178
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SC3600D Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
200 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
800mV @ 3mA, 30mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
100nA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
60 @ 10mA, 10V
Galia - Maks.
1.2 W
Dažnis - perėjimas
400MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Klasės
-
Kvalifikacijos
-
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-225AA, TO-126-3
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-126
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
ONSSNY2SC3600D
2156-2SC3600D
Standartinis paketas
314
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
Not applicable
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2N3752
TRANS 80V 5A TO111
JANTXV2N3637
TRANS PNP 175V 1A TO39
JANKCBF2N3700
TRANS NPN 80V 1A TO18
