Gamintojo produkto numeris:
2SC4256
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
2SC4256-DG
Aprašymas:
NPN SILICON TRANSISTOR
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 1200 V 10 mA 6MHz 1.75 W Through Hole TO-220AB
Inventorius:
3959 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12933891
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SC4256 Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
10 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
1200 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
5V @ 200µA, 1mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
1µA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
10 @ 500µA, 5V
Galia - Maks.
1.75 W
Dažnis - perėjimas
6MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Klasės
-
Kvalifikacijos
-
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-220-3
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-220AB
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-2SC4256
ONSONS2SC4256
Standartinis paketas
290
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
Not applicable
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SA1395-AZ
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
2SC4453-3-TB-E
BIP NPN 0.2A 15V
BFN39H6327
TRANS PNP 300V 0.2A SOT223