Gamintojo produkto numeris:
2SD1347T-AE
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
2SD1347T-AE-DG
Aprašymas:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 50 V 3 A 150MHz 1 W Through Hole 3-MP
Inventorius:
1000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12941219
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SD1347T-AE Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
3 A
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
500mV @ 100mA, 2A
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
1µA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
200 @ 100mA, 2V
Galia - Maks.
1 W
Dažnis - perėjimas
150MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Klasės
-
Kvalifikacijos
-
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Tiekėjo įrenginių paketas
3-MP
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-2SD1347T-AE
ONSONS2SD1347T-AE
Standartinis paketas
683
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
Not applicable
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
Vendor Undefined
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
HCPL4502SDM
OPTOCOUPLER DC-IN 1-CH TRANSISTO
2SC5310-6-TB-E
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON
BC859BMTF
TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
