Gamintojo produkto numeris:
2SD734F
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
2SD734F-DG
Aprašymas:
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
Išsami aprašymas:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 20 V 700 mA 250MHz 600 mW Through Hole 3-NP
Inventorius:
39500 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12976780
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
2SD734F Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienetiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
Tranzistoriaus tipas
NPN
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
700 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
20 V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
300mV @ 50mA, 500mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
1µA (ICBO)
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
160 @ 50mA, 2V
Galia - Maks.
600 mW
Dažnis - perėjimas
250MHz
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tiekėjo įrenginių paketas
3-NP
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-2SD734F
Standartinis paketas
2,219
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
2SD734F-AA
NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRA
2SA812B-T1B-AT
2SA812B-T1B-AT - PNP SILICON EPI
SBC847BLT1G-M01
SBC847 - TRANS BJTS NPN 45V
