2SJ665-DL-E
Gamintojo produkto numeris:

2SJ665-DL-E

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

2SJ665-DL-E-DG

Aprašymas:

MOSFET P-CH 100V 27A SMP-FD
Išsami aprašymas:
P-Channel 100 V 27A (Ta) 1.65W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount SMP-FD

Inventorius:

12833802
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

2SJ665-DL-E Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
P-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
27A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
77mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.6V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
74 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4200 pF @ 20 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
1.65W (Ta), 65W (Tc)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
SMP-FD
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
2SJ665

Papildoma informacija

Standartinis paketas
1,000

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
FQB34P10TM
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
FQB34P10TM-DG
VISO KAINA
1.23
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
nexperia

NX3008PBKVL

MOSFET P-CH 30V 230MA TO236AB

onsemi

2SK3746

MOSFET N-CH 1500V 2A TO3PB

infineon-technologies

AUIRFR6215TRL

MOSFET P-CH 150V 13A DPAK

nexperia

PMN30UNX

MOSFET N-CH 30V 4.5A 6TSOP