Gamintojo produkto numeris:
5HN01M-TL-E
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
5HN01M-TL-E-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 50V 100MA 3MCP
Išsami aprašymas:
N-Channel 50 V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount MCP
Inventorius:
12836197
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
5HN01M-TL-E Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
-
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
50 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
100mA (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
7.5Ohm @ 50mA, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
-
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
1.4 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6.2 pF @ 10 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
150mW (Ta)
Darbinė temperatūra
150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
MCP
Pakuotė / dėklas
SC-70, SOT-323
Pagrindinio produkto numeris
5HN01
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2156-5HN01M-TL-E
2156-5HN01M-TL-E-ONTR-DG
ONSONS5HN01M-TL-E
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
2N7002WT1G
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
51177
DiGi DALIES NUMERIS
2N7002WT1G-DG
VISO KAINA
0.02
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDMC007N08LCDC
MOSFET N-CH 80V 64A 8PQFN
BSC015NE2LS5IATMA1
MOSFET N-CH 25V 33A/100A TDSON
BMS3003-1E
MOSFET P-CH 60V 78A TO220F-3SG
