Gamintojo produkto numeris:
DTD113E
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
DTD113E-DG
Aprašymas:
SMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR
Išsami aprašymas:
Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50 V 100 mA 350 mW Through Hole TO-92 (TO-226)
Inventorius:
25000 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12934311
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
DTD113E Techninės specifikacijos
Kategorija
Bipoliarinis (BJT), Vienviečiai, išankstiniai bipolariniai tranzistoriai
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Bulk
Serijos
-
Produkto būsena
Active
Tranzistoriaus tipas
NPN - Pre-Biased
Srovė - kolektorius (Ic) (Max)
100 mA
Įtampos - kolektoriaus emiterio gedimas (maks.)
50 V
Rezistorius - pagrindas (R1)
1 kOhms
Rezistorius - emiterio pagrindas (R2)
1 kOhms
Nuolatinės srovės padidėjimas (hFE) (min.) @ Ic, Vce
3 @ 5mA, 10V
Vce prisotinimas (maks.) @ Ib, Ic
250mV @ 300µA, 10mA
Srovė - kolektoriaus išjungimas (maks.)
500nA
Galia - Maks.
350 mW
Klasės
-
Kvalifikacijos
-
Montavimo tipas
Through Hole
Pakuotė / dėklas
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-92 (TO-226)
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
ONSONSDTD113E
2156-DTD113E
Standartinis paketas
11,539
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
RoHS non-compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Affected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
