Gamintojo produkto numeris:
FCA36N60NF
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FCA36N60NF-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 600V 34.9A TO3PN
Išsami aprašymas:
N-Channel 600 V 34.9A (Tc) 312W (Tc) Through Hole TO-3PN
Inventorius:
12850149
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FCA36N60NF Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
FRFET®, SupreMOS®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
600 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
34.9A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
95mOhm @ 18A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
112 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
4245 pF @ 100 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
312W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-3PN
Pakuotė / dėklas
TO-3P-3, SC-65-3
Pagrindinio produkto numeris
FCA36N60
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
488-FCA36N60NF
Standartinis paketas
450
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
TK31J60W,S1VQ
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
25
DiGi DALIES NUMERIS
TK31J60W,S1VQ-DG
VISO KAINA
4.32
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
TK31J60W5,S1VQ
GAMINTOJAS
Toshiba Semiconductor and Storage
PRIEINAMAS KIEKIS
25
DiGi DALIES NUMERIS
TK31J60W5,S1VQ-DG
VISO KAINA
4.54
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDB3652
MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK
FDS2734
MOSFET N-CH 250V 3A 8SOIC
EMH1405-P-TL-H
MOSFET N-CH 30V 8.5A EMH8
