Gamintojo produkto numeris:
FDB12N50TM
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDB12N50TM-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 500V 11.5A D2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 500 V 11.5A (Tc) 165W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
1 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12921893
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
haTt
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDB12N50TM Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
UniFET™
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
500 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11.5A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
650mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
30 nC @ 10 V
VGS (Max)
±30V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1315 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
165W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
FDB12N50
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDB12N50TMTR
FDB12N50TMCT
FDB12N50TMDKR
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IXFA12N50P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
298
DiGi DALIES NUMERIS
IXFA12N50P-DG
VISO KAINA
1.82
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IXTA12N50P
GAMINTOJAS
IXYS
PRIEINAMAS KIEKIS
24
DiGi DALIES NUMERIS
IXTA12N50P-DG
VISO KAINA
1.71
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
ATP114-TL-H
MOSFET P-CH 60V 55A ATPAK
BSS138
MOSFET N-CH 50V 220MA SOT23-3
FDS4465-F085
MOSFET P-CH 20V 13.5A 8SOIC
