Gamintojo produkto numeris:
FDB8880
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDB8880-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 30V 11A/54A TO263AB
Išsami aprašymas:
N-Channel 30 V 11A (Ta), 54A (Tc) 55W (Tc) Surface Mount TO-263 (D2PAK)
Inventorius:
12848707
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
7ldV
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDB8880 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
11A (Ta), 54A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
11.6mOhm @ 40A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1240 pF @ 15 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
55W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-263 (D2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pagrindinio produkto numeris
FDB888
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDB8880-DG
FDB8880DKR
FDB8880TR
FDB8880CT
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
PSMN4R3-30BL,118
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
9945
DiGi DALIES NUMERIS
PSMN4R3-30BL,118-DG
VISO KAINA
0.58
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
PSMN017-30BL,118
GAMINTOJAS
Nexperia USA Inc.
PRIEINAMAS KIEKIS
1868
DiGi DALIES NUMERIS
PSMN017-30BL,118-DG
VISO KAINA
0.37
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FQD2N60TF
MOSFET N-CH 600V 2A DPAK
AUIRFR8405TRL
MOSFET N-CH 40V 100A DPAK
FDP120N10
MOSFET N-CH 100V 74A TO220-3