FDD6780
Gamintojo produkto numeris:

FDD6780

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FDD6780-DG

Aprašymas:

MOSFET N-CH 25V 16.5A/30A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 25 V 16.5A (Ta), 30A (Tc) 3.7W (Ta), 32.6W (Tc) Surface Mount TO-252AA

Inventorius:

12838257
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FDD6780 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
25 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
16.5A (Ta), 30A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
4.5V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8.5mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
29 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1590 pF @ 13 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.7W (Ta), 32.6W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
FDD678

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
FDD6780CT
FDD6780DKR
FDD6780TR
Standartinis paketas
2,500

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternatyvūs modeliai

DALIES NUMERIS
IPD090N03LGATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
94138
DiGi DALIES NUMERIS
IPD090N03LGATMA1-DG
VISO KAINA
0.23
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
onsemi

FCU360N65S3R0

MOSFET N-CH 600V IPAK

onsemi

FDC021N30

MOSFET N-CH 30V 6.1A SUPERSOT6

onsemi

ISL9N302AP3

MOSFET N-CH 30V 75A TO220-3

onsemi

FDMS86550

MOSFET N-CH 60V 32A/155A POWER56