Gamintojo produkto numeris:
FDD86250
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDD86250-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 150V 8A/50A DPAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 150 V 8A (Ta), 50A (Tc) 3.1W (Ta), 132W (Tc) Surface Mount TO-252AA
Inventorius:
1640 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12838703
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDD86250 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
150 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
8A (Ta), 50A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
22mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
33 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2110 pF @ 75 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
3.1W (Ta), 132W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-252AA
Pakuotė / dėklas
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Pagrindinio produkto numeris
FDD862
Duomenų lapas ir dokumentai
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDD86250-DG
FDD86250CT
FDD86250TR
FDD86250DKR
Standartinis paketas
2,500
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
IPD200N15N3GATMA1
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
51180
DiGi DALIES NUMERIS
IPD200N15N3GATMA1-DG
VISO KAINA
1.19
Pakeitimo tipas
Direct
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDC2512
MOSFET N-CH 150V 1.4A SUPERSOT6
HUFA75321D3ST
MOSFET N-CH 55V 20A TO252AA
FDS4070N3
MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO
