Gamintojo produkto numeris:
FDG6306P
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDG6306P-DG
Aprašymas:
MOSFET 2P-CH 20V 600MA SC88
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 20V 600mA 300mW Surface Mount SC-88 (SC-70-6)
Inventorius:
30 Vnt Naujas Originalus Sandėlyje
12847995
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDG6306P Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 P-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
20V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
600mA
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
420mOhm @ 600mA, 4.5V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
1.5V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
2nC @ 4.5V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
114pF @ 10V
Galia - Maks.
300mW
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Tiekėjo įrenginių paketas
SC-88 (SC-70-6)
Pagrindinio produkto numeris
FDG6306
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDG6306P-DG
ONSONSFDG6306P
FDG6306PTR
FDG6306PCT
FDG6306PDKR
2156-FDG6306P-OS
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
NTJD4152PT1G
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
15411
DiGi DALIES NUMERIS
NTJD4152PT1G-DG
VISO KAINA
0.10
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
NVMFD5877NLWFT1G
MOSFET 2N-CH 60V 6A 8DFN
FDMD86100
MOSFET 2N-CH 100V 10A 8PWR 5X6
FDC6561AN
MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6
