Gamintojo produkto numeris:
FDI038AN06A0
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDI038AN06A0-DG
Aprašymas:
MOSFET N-CH 60V 17A/80A I2PAK
Išsami aprašymas:
N-Channel 60 V 17A (Ta), 80A (Tc) 310W (Tc) Through Hole TO-262 (I2PAK)
Inventorius:
12851256
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDI038AN06A0 Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
60 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
17A (Ta), 80A (Tc)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.8mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
124 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
6400 pF @ 25 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
310W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 175°C (TJ)
Montavimo tipas
Through Hole
Tiekėjo įrenginių paketas
TO-262 (I2PAK)
Pakuotė / dėklas
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Pagrindinio produkto numeris
FDI038
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
2832-FDI038AN06A0
2832-FDI038AN06A0-488
Standartinis paketas
800
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
Not Applicable
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
FDI030N06
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
0
DiGi DALIES NUMERIS
FDI030N06-DG
VISO KAINA
2.27
Pakeitimo tipas
Similar
DALIES NUMERIS
IRFSL3206PBF
GAMINTOJAS
Infineon Technologies
PRIEINAMAS KIEKIS
1600
DiGi DALIES NUMERIS
IRFSL3206PBF-DG
VISO KAINA
1.22
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
R6520ENJTL
MOSFET N-CH 650V 20A LPTS
FDBL9403-F085
MOSFET N-CH 40V 240A 8HPSOF
R6511KNJTL
MOSFET N-CH 650V 11A LPTS
