FDMC035N10X1
Gamintojo produkto numeris:

FDMC035N10X1

Product Overview

Gamintojas:

onsemi

Detalių numeris:

FDMC035N10X1-DG

Aprašymas:

N-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET 100
Išsami aprašymas:
N-Channel 100 V 5.5A (Ta) 2.3W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (3.3x3.3), Power33

Inventorius:

13001583
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI

FDMC035N10X1 Techninės specifikacijos

Kategorija
FET, MOSFET, Vienetiniai FET, MOSFET
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
AKT tipas
N-Channel
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
100 V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
5.5A (Ta)
Pavaros įtampa (įjungta maksimali Rds, įjungta min. Rds)
6V, 10V
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
37mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
4V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
58 nC @ 10 V
VGS (Max)
±20V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2675 pF @ 50 V
AKT funkcija
-
Galios išsklaidymas (Max)
2.3W (Ta), 50W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Tiekėjo įrenginių paketas
8-PQFN (3.3x3.3), Power33
Pakuotė / dėklas
8-PowerWDFN

Papildoma informacija

Kiti pavadinimai
488-FDMC035N10X1
Standartinis paketas
1

Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija

REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
anbon-semiconductor

AS2302

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFE

infineon-technologies

IQE013N04LM6CGSCATMA1

OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET

microchip-technology

JANSR2N7591U3

RH MOSFET _ U3

infineon-technologies

IPB95R450PFD7ATMA1

MOSFET N-CH 950V 13.3A TO263-3