Gamintojo produkto numeris:
FDMC8200S
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDMC8200S-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8PWR33
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 6A, 8.5A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Inventorius:
12848119
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDMC8200S Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
Tape & Reel (TR)
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Active
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
6A, 8.5A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
20mOhm @ 6A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
3V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
10nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
660pF @ 15V
Galia - Maks.
700mW, 1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-PowerWDFN
Tiekėjo įrenginių paketas
8-Power33 (3x3)
Pagrindinio produkto numeris
FDMC82
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDMC8200S-DG
FDMC8200SDKR
FDMC8200STR
2832-FDMC8200STR
FDMC8200SCT
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDMA2002NZ_F130
MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 6MICROFET
IPG20N06S2L35AATMA1
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
NDS9933A
MOSFET 2P-CH 20V 2.8A 8SOIC
