Gamintojo produkto numeris:
FDMS1D2N03DSD
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDMS1D2N03DSD-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 19A/70A 8PQFN
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount 8-PQFN (5x6)
Inventorius:
12836922
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
nAKD
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDMS1D2N03DSD Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
AKT funkcija
-
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
19A (Ta), 70A (Tc), 37A (Ta), 164A (Tc)
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
3.25mOhm @ 19A, 10V, 0.97mOhm @ 37A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.5V @ 320µA, 3V @ 1mA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
33nC @ 10V, 117nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
1410pF @ 15V, 4860pF @ 15V
Galia - Maks.
2.1W (Ta), 26W (Tc), 2.3W (Ta), 42W (Tc)
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-PowerWDFN
Tiekėjo įrenginių paketas
8-PQFN (5x6)
Pagrindinio produkto numeris
FDMS1
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDMS1D2N03DSDOSCT
FDMS1D2N03DSDOSDKR
FDMS1D2N03DSDOSTR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDMS3604AS
MOSFET 2N-CH 30V 13A/23A POWER56
FDS6984S
MOSFET 2N-CH 30V 5.5A/8.5A 8SOIC
ECH8652-TL-H
MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH
