Gamintojo produkto numeris:
FDMS3660AS
Product Overview
Gamintojas:
onsemi
Detalių numeris:
FDMS3660AS-DG
Aprašymas:
MOSFET 2N-CH 30V 13A/30A POWER56
Išsami aprašymas:
Mosfet Array 30V 13A, 30A 1W Surface Mount Power56
Inventorius:
12839805
Prašyti pasiūlymo
Kiekis
Minimali 1
Minimali 1
(*) yra privaloma
Atsakysime per 24 valandas
Atsakysime per 24 valandas
PATEIKTI
FDMS3660AS Techninės specifikacijos
Kategorija
FET, MOSFET, FET, MOSFET Arrays
Gamintojas
onsemi
Pakuotė
-
Serijos
PowerTrench®
Produkto būsena
Obsolete
Technologija
MOSFET (Metal Oxide)
Konfigūracija
2 N-Channel (Dual)
AKT funkcija
Logic Level Gate
Nutekėjimo į šaltinio įtampą (Vdss)
30V
Srovė - nuolatinis nutekėjimas (ID) @ 25 °C
13A, 30A
Rds Įjungtas (Maks.) @ Id, Vgs
8mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th) (Maks.) @ Id
2.7V @ 250µA
Vartų mokestis (Qg) (maks.) @ Vgs
30nC @ 10V
Įvesties talpa (Ciss) (maks.) @ Vds
2230pF @ 15V
Galia - Maks.
1W
Darbinė temperatūra
-55°C ~ 150°C (TJ)
Montavimo tipas
Surface Mount
Pakuotė / dėklas
8-PowerTDFN
Tiekėjo įrenginių paketas
Power56
Pagrindinio produkto numeris
FDMS3660
Duomenų lapas ir dokumentai
HTML duomenų lapas
Duomenų lapai
Papildoma informacija
Kiti pavadinimai
FDMS3660ASDKR
FDMS3660ASCT
2832-FDMS3660ASTR
FDMS3660ASTR
Standartinis paketas
3,000
Aplinkosaugos ir eksporto klasifikacija
RoHS būsena
ROHS3 Compliant
Jautrumo drėgmei lygis (MSL)
1 (Unlimited)
REACH statusas
REACH Unaffected
EKSSN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternatyvūs modeliai
DALIES NUMERIS
NTMFD4C20NT1G
GAMINTOJAS
onsemi
PRIEINAMAS KIEKIS
3
DiGi DALIES NUMERIS
NTMFD4C20NT1G-DG
VISO KAINA
1.94
Pakeitimo tipas
Similar
DIGI Sertifikavimas
Susiję produktai
FDME1023PZT
MOSFET 2P-CH 20V 2.6A 6MICROFET
EFC6618R-A-TF
MOSFET 2N-CH EFCP
ECH8619-TL-E
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8ECH
